PRAM, eller Phase-change-hukommelse, har af nogle fået benævnelsen Perfect-RAM, da teknologien kombinerer fordelene ved DRAM og flashram.
Endnu går fremstillingen af PRAM trægt, men Intel har sammen med firmaet Numonyx, som Intel ejer sammen med STMicroelectronics, opnået, hvad de betegner som et gennembrud i produktionen af PRAM.
Gennembruddet består af to teknologiske fremskridt. Det ene er i teknologien for PCMS (phase change memory and switch), hvor det er lykkedes at lave hukommelsescellerne og en del af kontrolkredsløbet ud af det samme materiale.
Det andet fremskridt er, at metoden kan bruges til at lave flere lag, hvilket øger tætheden af data, der kan gemmes i chippen.
I første omgang har Intel og Numonyx lavet en chip med et enkelt lag og en kapacitet på 64 megabit, men regner med at have en chip med flere lag klar senere.
Når PRAM bliver mere almindeligt, vil det i computere helt kunne fjerne behovet for at indlæse et operativsystem mere end én gang, da det efter første indlæsning til hukommelsen ikke vil forsvinde igen, når computeren slukkes. På nuværende tidspunkt må man dog væbne sig med tålmodighed, da man hos Intel regner med, at der går nogle år, før PRAM vil være modent.